斜入射MBE法によるGaAs/Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As多層構造の作製 (2)

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J-GLOBAL ID：200902164001099021 整理番号：95A1007957

斜入射MBE法によるGaAs/Al_0.3Ga_0.7As多層構造の作製 (2)

GaAs/Al0.3Ga0.7As multi-layer structure grown by Glancing angle MBE. (2).

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資料名：
巻： 56th 号： 1 ページ： 185 発行年： 1995年08月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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