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J-GLOBAL ID：200902161667942301   整理番号：99A1016310

ウエハ溶解超格子バリアを用いたInGaAsP/InP MQW活性領域からのルミネセンスの改善

Improved Luminescence from InGaAsP/InP MQW Active Regions using a Wafer Fused Superlattice Barrier.

著者 (5件)： BLACK K A (Univ. California at Santa Barbara, CA) ,  ABRAHAM P (Univ. California at Santa Barbara, CA) ,  KARIM A (Univ. California at Santa Barbara, CA) ,  BOWERS J E (Univ. California at Santa Barbara, CA) ,  HU E L (Univ. California at Santa Barbara, CA)
資料名： Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  (Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
巻： 11th  ページ： 357-360  発行年： 1999年 
JST資料番号： W0731A  ISSN： 1092-8669  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP/InGaAsP多重量子井戸(MQW)レーザ活性領域の...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： ウエハ ,  溶解 ,  超格子 ,  バリア ,  InGaAsP ,  InP ,  MQW ,  活性領域 ,  ルミネセンス