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J-GLOBAL ID：200902259953088350   整理番号：03A0509042

バイア-ファーストデュアルダマスク工程(Via-First Dual Damascene Process,部分充填BARC法)におけるレジスト毒作用の除去

Elimination of Resist Poisoning in Via-First Dual Damascene Processes

著者 (6件)： NAGAHARA S (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIMOTO M (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMANA M (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE S (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIBA K (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOMINAGA M (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 16  号： 3  ページ： 351-361  発行年： 2003年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レジスト毒作用の機構を解明し,毒作用の影響をとり除く検討を行...

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,...
準シソーラス用語： TDS【スペクトル】

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

引用文献 (25件)：

• 1. L. Deferm, “Semiconductor Fabtech,” 11th edition, p233.
• 2. K.C. Yu, J. Werking, C. Prindle, M. Kiene, M.-F. Ng, et al., Proc. of the IEEE2002 IITC, (2002) 9.
• 3. T. Usami, H. Nanbu, K. Sugai, M. Tagami, and H. Miyamoto, Proc. of the IEEE2002 IITC, (2002) 250.
• 4. S. Nagahara, M. Fujimoto, M. Yamana, and T. Hashimoto, Proc. SPIE, 4690 (2002) 586.
• 5. I. Pollentier, M. Maenhoudt, V. Wiaux, D. Vangoidsenhoven, and K. Ronse, Proc. The Arch Chemicals INTERFACE 2000, (2000) 265.

タイトルに関連する用語 (3件)： 部分充填 ,  レジスト ,  毒作用