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J-GLOBAL ID：201402279209071076   整理番号：14A1293380

定常状態フォトキャパシタンス法によるCu(In,Ge)Se₂薄膜中の深準位欠陥の研究

Investigation of deep-level defects in Cu(In,Ga)Se₂ thin films by a steady-state photocapacitance method

著者 (6件)： HU Xiaobo (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  SAKURAI Takeaki (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  YAMADA Akimasa (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  ISHIZUKA Shogo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  NIKI Sigeru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  AKIMOTO Katsuhiro (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 116  号： 16  ページ： 163703-163703-5  発行年： 2014年10月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  *深い準位 ,  欠陥準位 ,  *静電容量 ,  光照射 ,  依存性
準シソーラス用語： *CIGS ,  *フォトキャパシタンス ,  組成依存性

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 定常状態 ,  フォトキャパシタンス ,  Cu ,  Ge ,  薄膜 ,  深準位 ,  欠陥 ,  研究