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J-GLOBAL ID：201602217757943898   整理番号：16A0026199

Ru添加BaCe_0.9Y_0.10O_3-δ薄膜の電子-イオン混合伝導

Electron-Ion Mixed Conduction of Ru-Doped BaCe_0.9Y_0.1O_3-δ Thin Film

著者 (7件)： HIGUCHI Tohru (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA Tomoyuki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OWAKU Tomohiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SHIMAZU Yuichi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KATO Hiroyuki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Masaki (KEK, Tsukuba, JPN) ,  KUMIGASHIRA Hiroshi (KEK, Tsukuba, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 40  号： 4  ページ： 429-432  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ru⁵⁺とY³⁺添加BaCeO₃(BaCe_0.85Ru_0.05Y_0.10O_3-δ:BCRY)薄膜を,RFマグネトロンスパッタリングにより,(0001)Al₂O₃基板上に準備した。600°Cで結晶化したBCRY薄膜は,a-とc-軸方位を示した。BCRY薄膜の電気伝導率は,BaCe_0.90Y_0.10O_3-δ(BCY)薄膜のものより高かった。BCRY薄膜の活性化エネルギー(E_A)は~0.25eVで,それは,400°C以下で,BCYの半分のE_Aに相当した。導電率は,酸素の分圧に依存した。BCY薄膜のFermiレベル(E_F)は価電子帯側にあるが,BCRY薄膜のE_Fは,伝導体側に移動した。上記結果は,BCRY薄膜が,400°C以下で,電子-イオン混合伝導を生じることを示した。

シソーラス用語： *セリウム化合物 ,  *酸素酸塩 ,  *イットリウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *ルテニウム化合物 ,  ドーピング ,  *固相反応 ,  基板 ,  酸化アルミニウム ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  蒸着膜 ,  セラミック膜 ,  *薄膜 ,  *電気伝導率 ,  活性化エネルギー ,  分圧 ,  酸素 ,  *混合伝導
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  セリウム酸塩 ,  酸素分圧 ,  導電率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  混合伝導  (BM03060U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ru ,  薄膜 ,  電子 ,  イオン ,  混合伝導