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J-GLOBAL ID：201602219615357412   整理番号：16A0187513

アクティニックEUVLマスクブランク検査のための低アスペクト位相欠陥の解析

Analysis of a low-aspect phase defect for actinic EUVL mask blank inspection

著者 (3件)： YAMANE Takeshi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  INO Tomohisa (Lasertec Corp., Yokohama, JPN) ,  MIYAI Hiroki (Lasertec Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9658  ページ： 96580N.1-96580N.8  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVマスクブランクの多層位相欠陥は,基板上に粒子やピットがある状態で多層膜を成長したときに作られる。量産用(HVM)アクティニックブランク検査(ABI)装置はほとんど100%の捕獲率で16nmノードの転写可能位相欠陥を検出するが,アスペクト比が0.01以下の欠陥はHVM ABIで検出できない。低アスペクト比欠陥を検出する目的で,欠陥からの散乱光角度を解析した。解析の結果,照明NAを大きくすることが雑音信号に影響せずに低アスペクト比欠陥の信号強度を高めることが分かった。光線追跡シミュレーションによると,照明NAを0.07から0.1にすると,欠陥信号強度はアスペクト比が0.015以下の欠陥にたいして20%増加した。また,NAをそれ以上大きくしても高アスペクト比の欠陥に対しての欠陥信号強度は変わらない。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  半導体プロセス ,  アスペクト比 ,  信号特性 ,  開口数 ,  欠陥 ,  *故障検出 ,  角度 ,  光線追跡 ,  マスク ,  *位相欠陥 ,  散乱角 ,  信号強度 ,  低アスペクト比
準シソーラス用語： EUVL ,  EUVマスク ,  *マスクブランク ,  欠陥検出

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： EUVL ,  マスクブランク ,  検査 ,  位相欠陥 ,  解析