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J-GLOBAL ID：201602289586749171   整理番号：16A1348152

AlGaN/GaNと格子整合InAlN/GaNヘテロ構造Schottky障壁ダイオードの電気特性の比較

Comparison of electrical characteristics between AlGaN/GaN and lattice-matched InAlN/GaN heterostructure Schottky barrier diodes

著者 (5件)： Ren Jian (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Yan Dawei (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Zhai Yang (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Mou Wenjie (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Gu Xiaofeng (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 61  ページ： 82-86  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円形プレーナ構造の格子整合Pt/Au-In_0.17Al_0.83N/GaNヘテロ構造Schottky障壁ダイオード(SBD)を製作した。二次元電子ガス(2DEG)密度,ターンオン電圧,Schottky障壁高さ,逆絶縁破壊電圧,および順電流-輸送メカニズムなどのInAlN/GaN SBDの電気特性を調査し,従来のAlGaN/GaN SBDの電気特性と比較した。その結果は,より高いSchottky障壁高さにもかかわらず,InAlN層のより多い転位が,AlGaN/GaN SBDより大きな漏れ電流と低い逆絶縁破壊電圧を引き起こすことを示した。絶縁破壊後のデバイスのエミッション顕微鏡観察画像は,AlGaN/GaN SBDの垂直絶縁破壊と異なり,大きな漏れ電流を引き起こす水平早期絶縁破壊挙動がInAlN/GaN SBDで起きることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  格子整合 ,  電気特性 ,  Schottky障壁 ,  転位【結晶】 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムインジウム ,  窒化アルミニウムガリウム ,  ヘテロ構造 ,  Schottky障壁高さ

著者キーワード (4件)： Lattice-matched InAlN/GaN Schottky barrier diode ,  AlGaN/GaN Schottky barrier diode ,  Electrical characteristics ,  Dislocation

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  格子整合 ,  InAlN ,  ヘテロ構造 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電気特性