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J-GLOBAL ID：201702211500486197   整理番号：17A0362521

パルスRFモードにおけるAlGaN/GaNH EMTデバイスの劣化に及ぼすドレイン静止電圧の影響【Powered by NICT】

Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode

著者 (4件)： Divay A. (Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France) ,  Duperrier C. (University of Cergy, ETIS UMR 8051 CNRS, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France) ,  Temcamani F. (Quartz, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France) ,  Latry O. (Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 585-588  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上にRF AlGaN/GaNH EMTデバイスの信頼性は公称と最大定格ドレイン静止バイアスでのパルスRF条件で調べた。これら3500時間試験中,特にRFパルス期間中の高電圧はgとI_において漸進的な減少を導くトラップ濃度は増加した。これらの変化は,ホットキャリア注入によるトラップ発生に起因している可能性があり,パルスRF条件におけるこの技術の信頼性のための重要な加速因子としてドレイン静止電圧の重要性を強調する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  ホットキャリア ,  信頼性 ,  *窒化ガリウム ,  *パルス ,  バイアス ,  *電圧
準シソーラス用語： RFパルス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  H EMT ,  老化試験 ,  信頼性 ,  トラップ ,  相互コンダクタンス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  RF ,  AlGaN ,  EMT ,  ドレイン ,  静止