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J-GLOBAL ID：201702213797073295   整理番号：17A0364010

シリコン貫通電極の熱機械的安定性に及ぼす初期熱応力とひずみ効果【Powered by NICT】

Initial thermal stress and strain effects on thermal mechanical stability of through silicon via

著者 (7件)： Sun Yunna (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Sun Shi (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Zhang Yazhou (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Luo Jiangbo (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Wang Yan (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Ding Guifu (National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Jin Yufeng (National Key Lab of Micro/Nanometer Fabrication Technology, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 165  ページ： 11-19  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 作動段階中の初期熱応力と変形を含めた3D TSVの熱機械的安定性を検討した。以前の結果とは異なり,集積回路(IC)パッケージングと製造プロセス(PFP)は加工段階の初期熱応力とひずみを得ると考えられている。ICのPFPの間,TSV(貫通シリコンバイア)はいくつかの異なるプロセス,のような,再分布層(RDL),リフローはんだ付け,充填アンダーフィルを通過する。PFPの70%以上は高い熱負荷をもたらすので,TSV Cuに及ぼす塑性変形は,PFP間において不可避です。塑性変形の蓄積は作業サイクル段階の開始での熱残留応力と歪をもたらした。TSVの熱機械的信頼性と機構を,有限要素(FE)法により調べた。IC疲労寿命に及ぼす熱残留応力の影響は,PFP(CPP)モデルを考慮したPFP(NPP)モデルを無視して比較することにより研究した。PFP中の塑性変形と有効塑性歪蓄積の異なる形を用いて,寿命は中央部で短縮し,TSV Cu界面系における延長される。IC信頼性評価と予測の精度はCPPにより大きく改善された,例えばTSV単位の最小疲れ寿命はCPPのNPPと118cyclesの75cyclesである。IC PFPに関連した熱機械的機構を十分に考慮して,疲労寿命が長期化する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塑性 ,  熱負荷 ,  *熱応力 ,  再分布 ,  界面 ,  塑性変形 ,  三次元 ,  疲れ寿命 ,  リフロソルダリング
準シソーラス用語： 集積回路信頼性 ,  歪蓄積 ,  熱残留応力 ,  アンダーフィル ,  *機械的安定性 ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ICはパッケージングと製造 ,  熱負荷 ,  初期熱応力と変形 ,  熱機械的信頼性

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン貫通電極 ,  機械的安定性 ,  初期 ,  熱応力 ,  ひずみ