文献

J-GLOBAL ID：201702215363611325   整理番号：17A0402515

Pd/Ge反応の第一段階:混合効果と主たる拡散種【Powered by NICT】

First stages of Pd/Ge reaction: Mixing effects and dominant diffusing species

著者 (6件)： Perrin Toinin J. (Aix-Marseille University, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France) ,  Perrin Toinin J. (CNRS, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France) ,  Portavoce A. (CNRS, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France) ,  Texier M. (Aix-Marseille University, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France) ,  Bertoglio M. (CNRS, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France) ,  Hoummada K. (Aix-Marseille University, IM2NP, Faculte des Sciences de Saint-Jerome, case 142, 13397 Marseille, France)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 167  ページ： 52-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造とGe(100)上に形成されたPdゲルマニウム化合物の化学組成を,透過型電子顕微鏡(TEM),その場X線回折(XRD),原子プローブトモグラフィー(APT)を用いて調べた。Pd_2Ge成長中の拡散種を同定するためのマーカーとして使用した超薄Si膜はPd膜蒸着の前に,Ge(100)上に蒸着した。観察は,Ge(100)上のPd室温蒸着中の薄い界面多結晶Pd_2Ge層の形成を証明した。50~400°Cのその場XRD熱処理はSiマーカーはPd_2GeとPdGeの逐次生成に影響しなかったことを明らかにした。ex situ APTとTEM特性化は,Siマーカー層はPd_2Ge表面よりもPd_2Ge/Ge界面に近い位置,反応後であることを示した。この結果は,GeおよびPd自己拡散はPd_2Ge成長中の同程度の大きさであることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  多結晶 ,  ゲルマニウム化合物 ,  自己拡散 ,  熱処理 ,  化学組成 ,  蒸着 ,  *ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  界面 ,  *パラジウム
準シソーラス用語： 原子プローブトモグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  反応 ,  ゲルマニウム化物 ,  自己拡散

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pd ,  Ge ,  段階 ,  混合効果 ,  拡散