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J-GLOBAL ID：201702215417765405   整理番号：17A0362441

28nmと14nm UTBB FDSOIノードにおける信頼性適応ボディバイアス方式と性能【Powered by NICT】

Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28nm & 14nm UTBB FDSOI nodes

著者 (6件)： Ndiaye C. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Ndiaye C. (IM2NP-ISEN, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France) ,  Huard V. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Federspiel X. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Cacho F. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Bravaix A. (IM2NP-ISEN, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 158-162  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボディバイアスを用いることの利点を示した。実験は14nmと28nm UTBB FDSOIトランジスタとリング発振器(ROs)で行った。性能及び信頼性に及ぼす基板バイアスの影響を強調した。ボディバイアス設計マージンを変化させずに論理回路における信頼性と性能の間のトレードオフを適応させるための重要な利点を提供する。FDSOI技術を用いて,著者らは前に使用される電源電圧補償に隣接した基板バイアス電圧(適応ボディバイアス,ABB)を用いたプロセス変動補償の付加的な自由度を持っている。ABB補償技術を完全な電力最適化のためのより良い結果を示すことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  電圧 ,  リング発振器 ,  *信頼性 ,  論理回路 ,  自由度
準シソーラス用語： 電力最適化 ,  プロセス変動 ,  電源電圧 ,  *基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： FDSOI ,  リング発振器 ,  ボディバイアス ,  H CI ,  BTI

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： FDSOI ,  ノード ,  適応 ,  ボディバイアス