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J-GLOBAL ID：201702220674563051   整理番号：17A0608553

Si(111)-(√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)-In表面超伝導体へのCuPc/F₁₆CuPcによる表面ドーピング

著者 (5件)： 角直也 (筑波大) ,  山田洋一 (筑波大) ,  佐々木正洋 (筑波大) ,  吉澤俊介 (物質・材料研究機構) ,  内橋隆 (物質・材料研究機構)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.19pD42-9  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *インジウム ,  *吸着 ,  *表面再構成 ,  *超伝導体 ,  蒸着膜 ,  *銅錯体 ,  *フタロシアニン錯体 ,  *単分子層 ,  有機半導体 ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  電荷移動 ,  *超伝導 ,  *転移温度 ,  光電子スペクトル

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  超伝導体の物性一般  (BM04021A)

物質索引 (2件)： 銅フタロシアニン ,  ヘキサデカフルオロフタロシアニン

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  超伝導体 ,  CuPc ,  ドーピング