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J-GLOBAL ID：201702220952312778   整理番号：17A0794187

IGZOパネル向け製造装置の開発

著者 (5件)： 藤原将喜 (日新電機 ビーム・プラズマ技開研) ,  酒井敏彦 (日新電機 ビーム・プラズマ技開研) ,  東大介 (日新電機 ビーム・プラズマ技開研) ,  入澤一彦 (日新電機 ビーム・プラズマ技開研) ,  久保田清 (日新電機 ビーム・プラズマ技開研)
資料名： 日新電機技報  (Nissin Electric Review)
巻： 62  号： 2  ページ： 39-44  発行年： 2017年05月25日 
JST資料番号： S0817B  ISSN： 0549-5377  CODEN： NIDGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 液晶ディスプレイ(LCD)や有機EL(OLED)ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ(FPD)の高精細化やフレキシブル対応が進むにつれて,IGZOに代表される酸化物半導体の薄膜トランジスタ(TFT)への適用が期待されている。当社では,酸化物半導体TFTの製造に必要な高品質絶縁膜の形成用に,独自の高密度プラズマ技術を用いたCVD装置を開発している。(著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  製造 ,  装置 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  *絶縁膜 ,  プラズマ ,  *プラズマCVD ,  *フラットパネルディスプレイ ,  液晶ディスプレイ ,  ELディスプレイ ,  誘導結合プラズマ ,  基板温度 ,  フッ化ケイ素 ,  窒素 ,  薄膜成長 ,  濃度 ,  脱着 ,  電流電圧特性 ,  製造装置 ,  酸化物半導体 ,  高密度プラズマ ,  水素濃度 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  有機ELディスプレイ ,  水素脱離

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  表示機器  (NC06030Q)

引用文献 (11件)：

• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono : Nature. 432 (2004) 488.
• K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono : Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 4303.
• H. Godo, D. Kawae, S. Yoshitomi, T. Sasaki, S. Ito, H. Ohara, H. Kishida, M. Takahashi, A. Miyanaga, and S.Yamazaki : Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 03CB04.
• S. Fujita, H. Toyoshima, T. Ohishi, and A. Sasaki : Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L144.
• 日新電機技報、 Vol.58 No.1、 p.6(2013.4)

タイトルに関連する用語 (3件)： IGZO ,  製造装置 ,  開発