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J-GLOBAL ID：201702225747956136   整理番号：17A0754744

沈降とプラズマスパッタリングにより作製したWO_3薄膜【Powered by NICT】

WO₃ thin films prepared by sedimentation and plasma sputtering

著者 (9件)： Olejnicek Jiri (Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 14800 Prague, Czech Republic) ,  Brunclikova Michaela (Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 14800 Prague, Czech Republic) ,  Kment Stepan (Palacky University, RCPTM, Joint Laboratory of Optics, 17. listopadu 12, 77146 Olomouc, Czech Republic) ,  Hubicka Zdenek (Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 14800 Prague, Czech Republic) ,  Kmentova Hana (Palacky University, RCPTM, Joint Laboratory of Optics, 17. listopadu 12, 77146 Olomouc, Czech Republic) ,  Ksirova Petra (Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 14800 Prague, Czech Republic) ,  Cada Martin (Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 14800 Prague, Czech Republic) ,  Zlamal Martin (Department of Inorganic Technology, University of Chemical Technology Prague, Technicka 5, 16628 Prague, Czech Republic) ,  Krysa Josef (Department of Inorganic Technology, University of Chemical Technology Prague, Technicka 5, 16628 Prague, Czech Republic)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 318  ページ： 281-288  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三酸化タングステン(WO_3)半導体薄膜は,(i)堆積過程,(ii)プラズマ励起の種々のモードの下でタングステンターゲットからの反応性マグネトロンスパッタリングと(iii)両方法の組合せにより調製した。それらの結晶化度と半導体特性を改善するために,全ての試料は,FTO(フッ素ドープ酸化スズ)被覆ガラス基板上に蒸着し,450°Cで開放空気条件下で堆積後アニールした。本研究では,上記方法により調製した層の光-電子-化学特性の比較を行なった。アニーリング後,全ての調製したWO_3膜は単斜晶結晶構造を明らかにした堆積したままの試料は非晶質であった。微結晶の異なる方位はプラズマで作製した試料中の放電パルスの異なるモードで見られた。結晶WO_3の存在は有意な光電流応答に必須である。非晶質試料は光電気化学的に活性を示さなかったが,アニールした試料は顕著な光電流密度を明らかにした。反応性マグネトロンスパッタリングにより作製した層は堆積過程により作製した膜に匹敵する光電流を示した。しかし,複合層は,粒子堆積およびマグネトロンスパッタリングにより作製した分離膜の光電流の合計よりも約2倍高い光電流を達成した。複合層も電気化学的インピーダンス分光法における最良の結果を明らかにし,モヌロン除草剤の光触媒分解で最高の効率を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 被覆 ,  半導体薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  光電気化学 ,  結晶構造 ,  結晶度 ,  *プラズマ ,  電流密度 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  光電流 ,  微結晶
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  FTO【酸化物】 ,  反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： WO_3 ,  薄膜 ,  水分裂 ,  パルスマグネトロンスパッタリング ,  沈降 ,  光電気化学

分類 (2件)： 触媒操作  (XE01050T) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 沈降 ,  プラズマスパッタリング ,  作製 ,  薄膜