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J-GLOBAL ID：201702226034337000   整理番号：17A0898351

InP基板上のタイプ-IIIバンド配列を有する高歪エサキ・トンネルダイオード

Highly strained Esaki tunnel diodes on InP substrate with type-III band alignment

著者 (3件)： KARL S (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  SPRENGEL S (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  AMANN M-C (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 31  号： 12  ページ： 125008,1-4  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *トンネルダイオード ,  リン化インジウム ,  基板 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *アンチモン化物 ,  化合物半導体 ,  トンネル接合 ,  格子歪 ,  *バンド構造 ,  *電流 ,  ピーク値 ,  不純物濃度 ,  濃度依存性
準シソーラス用語： *アンチモン化ガリウムインジウム ,  *トンネル電流

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  タイプ ,  バンド ,  歪