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J-GLOBAL ID：201702231142211265   整理番号：17A0129116

自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 表面処理の影響

Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates

著者 (3件)： SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  NAGANAWA Moe (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 357(CPM2016 90-112)  ページ： 15-20  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に(i)劈開のみ,(ii)H₂O₂による故意酸化,(iii)HCl洗浄の3種類の表面処理条件を用いてショットキー電極を形成し,電気的特性の評価を行った。劈開のみの試料のI-V特性は,電極間のばらつきが少なく,良好なn値を示した。しかし,H₂O₂処理した試料は,表面処理なしの試料に比べ,ショットキー障壁高さがはるかに小さい値を示した。一方,HCl処理した試料は,電極間の特性のばらつきが著しく大きい結果となった。c面Ga極性で良く用いられているHCl処理は劈開m面n-GaN表面に対しては有効ではなく,劈開のみの方が清浄であることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 結晶面 ,  劈開【結晶】 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  接触 ,  表面処理

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  劈開面 ,  GaN ,  ショット ,  キー ,  評価 ,  表面処理