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J-GLOBAL ID：201702231403388750   整理番号：17A0362454

[110]配向けい素ナノワイヤの機械的応答に及ぼすりんの影響の数値的研究【Powered by NICT】

Numerical investigation of the effects of phosphorus on the mechanical responses of [1 1 0]-oriented silicon nano-wires

著者 (6件)： Liu B. (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Tao J.Y. (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Chen X. (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhang Y.A. (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Jiang Yu (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Qian Y. (Mianyang High-tech Experimental Middle School, Mianyang, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 225-229  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)における最も一般的に使用される不純物の一つ,リン(P)不純物は[110]-Siナノワイヤ(NW)の引張機械的応答に影響する機構を改良した埋込み原子法(MEAM)ポテンシャルを用いた分子動力学(MD)を用いて研究した。300Kでの引張試験は,切欠きなしおよび切欠き付Si NWに対して行った。切欠き無しの場合,P不純物は,特定の濃度でのSi原子を置き換えるランダム。二パターンは,切欠きモデルのための,一つの無ドープ及び一つのドープした切欠き先端であった。結果は,濃度が増加すると均一に分布したP不純物は切欠き無しSi NWの破壊強さの全体的な減少をもたらすことを示した。破壊様式は局所欠陥は,P,その後急速に核周辺に,伝搬し,最終的に破壊をもたらすことである。しかし,切欠きモデルのための,Pは明らかに既存の亀裂の亀裂発生と成長を妨げることにより破壊強度を高めることができる。歪に曝された表面欠陥を持つSi NWに関しては,破壊は応力集中のために表面から始まり,Pは表面,特に亀裂先端近傍に批判的に機能することを示した。うまくいけば,この知見は,Si NW素子の信頼性設計に適用することができる。,Pまたは切欠きに及ぼす表面をドープすると,2nmと3nmのNWの破壊モードの遷移が起こる,すなわち延性から脆性へ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分子動力学 ,  応力集中 ,  ドーピング ,  引張 ,  延性 ,  引張試験 ,  亀裂先端 ,  亀裂発生 ,  切欠き ,  *ナノワイヤ ,  破壊強さ ,  表面欠陥 ,  *ケイ素 ,  不純物 ,  破壊モード

著者キーワード (6件)： シリコン ,  ナノワイヤ ,  りん ,  引張特性 ,  脆性と延性破壊 ,  分子動力学

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配向 ,  けい素ナノワイヤ ,  機械的応答 ,  りん ,  数値 ,  研究