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J-GLOBAL ID:201702233742162378   整理番号:17A0747978

絶縁基板上の金属ナノ構造のための走査電子顕微鏡における帯電効果の系統的研究【Powered by NICT】

A systematic investigation of the charging effect in scanning electron microscopy for metal nanostructures on insulating substrates
著者 (3件):
資料名:
巻: 265  号:ページ: 287-297  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0454B  ISSN: 0022-2720  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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走査電子顕微鏡は,多分ナノ構造を調べ,キャラクタライズするために最も重要な手段である。走査電子顕微鏡でよく知られた難問は絶縁材料の研究である。絶縁材料は基底への道を提供しないので,電荷,像ドリフトと画像歪として明らかなを蓄積する。以前の研究で,著者らは,ガラス基板上の金属ナノ粒子のアレイで帯電した試料は収縮効果をもたらし,10kVで15%までのナノ粒子寸法と80±10pAのプローブ電流の測定誤差をもたらすことが分かった。この効果を詳細に検討するために,電子ビームリソグラフィーを用いた絶縁性ほうけい酸ガラス上の金属ナノ構造を作製した。電子ビームリソグラフィーは,金属ナノ構造とエリアカバー率の設計を調整することを可能にする。測定は走査電子顕微鏡,すなわち,InLensとEverhart検出器中の二の一般的に利用可能な二次電子検出器を用いて行った。顕微鏡設定の変更による影響へのいくつかの寄与を同定し,識別,開口の大きさ,ビーム電流,作動距離及び加速電圧を含む。様々なサイズと形状の金属ナノ構造を画像化し,画像に用いられる電子ビームと二次電子検出器の走査方向の影響を調べた。相対測定誤差は,いくつかの設定のための20%の高さを測定する,加速電圧とイメージングに使用される二次電子検出器のタイプに依存することが分かった。特に,Everhart検出器SE_1電子に対するより低い感受性はInLens測定と比較して10%までの収縮の大きさを増大させた。最後に,絶縁体試料における電荷バランスを推定する方法を提示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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顕微鏡法  ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  ,  生体の顕微鏡観察法  ,  固体プラズマ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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