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J-GLOBAL ID：201702246284726828   整理番号：17A0697165

H_2とN_2キャリアガス中の減圧CVDによる低欠陥と歪緩和GeSn成長の研究【Powered by NICT】

Study of low-defect and strain-relaxed GeSn growth via reduced pressure CVD in H₂ and N₂ carrier gas

著者 (15件)： Margetis J. (ASM, 3440 East University Drive, Phoenix, AZ 85034, USA) ,  Mosleh A. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Al-Kabi S. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Al-Kabi S. (Microelectronics-Photonics Program, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Al-Kabi S. (Department of Physics, Wasit University, Kut, Iraq) ,  Ghetmiri S.A. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Ghetmiri S.A. (Microelectronics-Photonics Program, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Du W. (Department of Chemistry & Physics, University of Arkansas at Pine Bluff, Pine Bluff, AR 71601, USA) ,  Dou W. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Benamara M. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Li B. (Arktonics, LLC, 1339 South Pinnacle Drive, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Mortazavi M. (Department of Chemistry & Physics, University of Arkansas at Pine Bluff, Pine Bluff, AR 71601, USA) ,  Naseem H.A. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Yu S.-Q. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR 72701, USA) ,  Tolle J. (ASM, 3440 East University Drive, Phoenix, AZ 85034, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 128-133  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質の,厚い(1.1μmまで),歪緩和GeSn合金はSnCl_4と低コスト市販GeH_4前駆体を用いたASM Epsilon化学蒸着系におけるGeバッファSi(100)上に成長させた。成長速度とSn取り込みに関してにおける表面化学の重要性はH_2とN_2キャリアガス中の成長速度データを比較することにより検討した。キャリアガスの役割についても二次イオン質量分析とX線回折による層組成と歪プロファイルのSn表面偏析と進化の抑制を検討した。透過型電子顕微鏡は,転位がピン止めされた薄い中間層の自発的組成分裂と形成を明らかにした。この中間層は,その上に厚さ,歪緩和,欠陥のないエピタキシャル層の成長を可能にした。最終,両N_2とH_2成長法は,オプトエレクトロニクス素子品質の材料を生成することを示す光ルミネセンス結果を提示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  ピン止め ,  成長速度 ,  *キャリアガス ,  表面偏析 ,  前駆体 ,  品質 ,  *スズ ,  *LPCVD ,  *緩和現象 ,  透過型電子顕微鏡 ,  界面化学 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 中間層 ,  *歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： B1ゲルマニウムすず合金 ,  B2緩和したGeSn ,  A3エピタクシー ,  A3CVD ,  A3N_2キャリアガス ,  A1転位ピン止め

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリアガス ,  減圧CVD ,  欠陥 ,  歪緩和 ,  成長 ,  研究