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J-GLOBAL ID：201702248200822790   整理番号：17A0693507

InP基板に成長したInAsベースエピタキシャル構造からのTHzパルス放射

THz pulse emission from InAs-based epitaxial structures grown on InP substrates

著者 (7件)： NEVINSKAS I (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  BUTKUTE R (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  STANIONYTE S (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  BICIUNAS A (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  GEIZUTIS A (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  GEIZUTIS A (Vilnius Gediminas Technical Univ., Vilnius, LTU) ,  KROTKUS A (Centre for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 31  号： 11  ページ： 115021,1-6  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： リン化インジウム ,  基板 ,  *ヒ化インジウム ,  *層 ,  *電磁波放射 ,  パルス ,  ドーピング ,  PN接合 ,  MBE成長 ,  格子不整合 ,  バッファ層 ,  組成 ,  構造特性 ,  キャリア移動度 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  Hall効果 ,  レーザパルス ,  パラメータ ,  電場 ,  波長 ,  永久磁石 ,  磁場 ,  タイムドメイン分光法 ,  視線 ,  エピタクシー ,  *テラヘルツ波 ,  化合物半導体 ,  *エピタキシャル層 ,  フェムト秒レーザパルス ,  光学パラメータ ,  高分解能X線回折 ,  合金組成 ,  励起波長 ,  *テラヘルツ放射
準シソーラス用語： テラヘルツ時間領域分光法 ,  *テラヘルツ波放射 ,  ネオジム永久磁石

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  成長 ,  InAs ,  エピタキシャル ,  THzパルス ,  放射