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J-GLOBAL ID：201702248285044454   整理番号：17A0462201

酸素を含まないエピ用GaSb(100)基板のためのガリウムのin situフラッシュ法

In situ flashes of gallium technique for oxide-free epiready GaSb (100) surface

著者 (10件)： Mathews Sen (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Schuler-Sandy Theodore (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Kim Jong Su (Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan 712-749, South Korea, 38541) ,  Kadlec Clark (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Kazemi Alireza (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Dahiya Vinita (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Ramirez David A. (SK Infrared, 801 University Blvd. SE Suite 205, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Myers Stephen A. (SK Infrared, 801 University Blvd. SE Suite 205, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Kuznetsova Yuliya V. (SK Infrared, 801 University Blvd. SE Suite 205, Albuquerque, New Mexico 87106) ,  Krishna Sanjay (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210; Center for High Technology Materials University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87106; and SK Infrared, 801 University Blvd. SE Suite 205, Albuquerque, New Mexico 87106)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02B114-02B114-4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb(100)基板から自然酸化膜を脱離させる新規のin situ手法を報告する。提案する方法では,原子状ガリウムのフラッシュ(FLAG)が加熱した基板に照射され,不揮発性のGa₂O₃を揮発性のGa₂Oに転換する。従来の熱的酸素脱離(TOD)法を,提案したFLAG法と比較した。反射高速電子回折法を用いて,酸素の脱離を観察した。FLAG法による酸素脱離を470°Cで観測したが,これはTOD法の550°Cより~80°C低い。FLAG法で形成したGaSbバッファの原子間力顕微鏡により原子的に平滑な表面が示される。InAs/GaSbのII型超格子方式の単極バリア中赤外検出素子を2種類の方法で形成した。代表的なFLAG素子の暗電流は,T=77K,V_b=-0.1Vにおいて5.28×10^-6A/cm²と測定され,一方,参照するTOD素子の同一条件下での暗電流は8.96×10^-4A/cm²である。λ=4.5μm,T=77K,V_b=0Vでの量子効率は,FLAG素子で51%,参照用のTOD素子では24%であった。FLAG法を自然酸化膜の厚さの異なる幾つかの基板で試した。また,Gaフラッシュの回数を最適化して良好なエピ開始用表面を得た。何らのex situ処理を必要としない,エピ用表面のin situ調製の有望な方法を確立したと考える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *酸化膜 ,  ガリウム ,  *フラッシュ蒸発 ,  原子衝突 ,  *酸素 ,  *脱着 ,  RHEED ,  *人工超格子 ,  *赤外検出器 ,  赤外線 ,  原子間力顕微鏡 ,  *ヒ化インジウム ,  半導体薄膜 ,  暗電流 ,  *量子効率
準シソーラス用語： 自然酸化膜 ,  脱離 ,  反射高速電子回折 ,  中赤外線

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素 ,  GaSb ,  ガリウム