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J-GLOBAL ID：201702253764708190   整理番号：17A0086769

種々の分子量を有する高分子型電子ビームレジストのパターン形成の現像液の分子サイズ依存性

Developer molecular size dependence of pattern formation of polymer type electron beam resists with various molecular weights

著者 (6件)： TAKAYAMA Tomohiro (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  ASADA Hironori (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  KISHIMURA Yukiko (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  OCHIAI Shunsuke (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  HOSHINO Ryoichi (LLC Gluon Lab, Ube, JPN) ,  KAWATA Atsushi (LLC Gluon Lab, Ube, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9984  ページ： 99840L.1-99840L.6  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィーでは,電子ビームレジストの感度や解像度は,レジストの化学構造や分子量などだけでなく,現像液の分子量など影響を受ける。現像液の影響を調べるために,現像液の分子サイズがパターン形成に及ぼす影響について検討した。種々のエステル系溶剤を用いて,60~500kの分子量を有するポジ型レジストの露光特性を調べた。加速電圧50kVの電子ビーム描画システムを利用して,L/Sパターンを形成し,これを酢酸アミル,酢酸ヘキシルおよび酢酸ヘプチルにより現像した。現像液の分子サイズが大きくなると,L/Sパターン形成に必要な露光量が増加するが,パターン形状が良好になり,レジスト表面も平滑になった。低分子量のレジストでは,パターン形状が改善され,線量マージンが向上した。分子サイズの大きい現像液では,線幅の粗さが小さくなる傾向があった。高分子量のレジストでも,現像液の分子サイズがパターン形成に影響することが判明した。

シソーラス用語： *電子線レジスト ,  依存性 ,  分子サイズ ,  *現像液 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  レジスト ,  *回路パターン形成 ,  低分子量 ,  分子構造 ,  機能性高分子
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  ポジ型レジスト ,  電子ビームレジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (3件)： 酢酸アミル ,  酢酸ヘキシル ,  酢酸ヘプチル

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子量 ,  高分子 ,  電子ビームレジスト ,  パターン形成 ,  現像液 ,  分子 ,  サイズ依存性