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J-GLOBAL ID：201702257064611043   整理番号：17A0650701

InGaN/GaN量子ディスクのナノメートルスケール作製および光学応答

Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks

著者 (17件)： LAI Yi-Chun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LAI Yi-Chun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HIGO Akio (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIBA Takayuki (Kitami Inst. of Technol., Kitami, JPN) ,  THOMAS Cedric (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHEN Shula (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LEE Chang Yong (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAYAMA Ryuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHOJIKI Kanako (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAYAMA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  MURAYAMA Akihiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  CHI Gou-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YU Peichen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 42  ページ： 425401,1-5  発行年： 2016年10月21日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,ナノピラーに埋め込まれた高密度In_0.3Ga_0.7N/GaN量子ディスク(QD)の製作および光学特性について報告した。前駆体としてNH₃,TEGa,およびTMInを用いた有機金属気相エピタキシーにより,C面サファイア基板上にIn_0.3Ga_0.7N/GaN単一量子井戸(SQW)ウエハを成長した。フェリチンタンパク質をポリエチレングリコールで修飾したテンプレートと中性ビームエッチング(NBE)により,InGaNナノピラーを製作した。走査型電子顕微鏡,走査透過電子顕微鏡-エネルギー分散X線分光,および光ルミネセンスにより,作製した試料の特徴付けを行った。著者等は,バイオテンプレートとNBEを組み合わせたトップダウンプロセスにより,InGaN QD製作を実証し,10¹¹cm^-2以上,直径約5nmの高密度InGaN/GaN量子ディスクを達成した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *規模 ,  *技術 ,  *微細加工 ,  *応答 ,  柱 ,  前駆体 ,  MOCVD ,  量子井戸 ,  フェリチン ,  タンパク質 ,  ポリエチレンオキシド ,  型枠 ,  板 ,  中性粒子ビーム ,  エッチング ,  ドライエッチング ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *InGaN ,  *GaN ,  *量子ディスク ,  *ナノスケール ,  *微細加工技術 ,  *光学応答 ,  ナノピラー ,  有機金属気相エピタキシー ,  単一量子井戸 ,  ポリエチレングリコール ,  テンプレート【型板】 ,  中性ビーム ,  走査型電子顕微鏡 ,  走査透過電子顕微鏡

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  量子ディスク ,  ナノメートルスケール ,  作製 ,  光学応答