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J-GLOBAL ID：201702257112856312   整理番号：17A0617526

自己集合流し塗りによる疎液性ゲート絶縁体表面上の高分子有機半導体の空間的に均一な薄膜形成

Spatially Uniform Thin-Film Formation of Polymeric Organic Semiconductors on Lyophobic Gate Insulator Surfaces by Self-Assisted Flow-Coating

著者 (7件)： BULGAREVICH Kirill (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  BULGAREVICH Kirill (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO Kenji (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MINARI Takeo (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Takeshi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MIKI Kazushi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MIKI Kazushi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 7  ページ： 6237-6245  発行年： 2017年02月22日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合単分子層形成による表面疎水化は有機電界効果トランジスタ(OFET)の性能を改良するための強力な技術である。しかし,溶液処理によるこのような表面上の有機薄膜形成は共通の有機溶媒に対する表面の忌避性のためにうまくいかない。本稿では,この問題を解決するスケーラブルな一方向性被覆技術,すなわち,ガラス基板に付着させたpポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]tチオフェン)(pBTTT-C16)をガラスを移動させながら下部基板上に塗りつける自己集合流し塗りを報告した。疎液性表面上に特異的に設計した疎液性-親液性パターンの生成により,疎液性表面領域に有機薄膜形成を可能にした。この方法の有用性を実証するために,pBTTT-C16活性層をもつOFETアレイを組み立て,ヒステリシス挙動のない理想的な移動曲線を全OFET類に対して得た。飽和領域における平均電界効果正孔易動度は流し塗り方向に対して平行と垂直チャネルとに対して,それぞれ,0.273と0.221cm²・V^-1・s^-1であり,素子間の変化は3%以下であった。これらの小さな変化はオン電流,閾値電圧,および閾値下スイングでも得られた。これらの結果により,自己集合流し塗りが疎液性ゲート絶縁体表面上の高分子有機半導体の空間的に均一な薄膜形成のための有望な被覆技術であることを示した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *薄膜成長 ,  *自己集合 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  高分子薄膜 ,  有機溶媒 ,  表面性状 ,  パターン形成 ,  ヒステリシス ,  被覆
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  正孔移動度 ,  表面疎水性 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  溶液処理 ,  *流し塗 ,  閾値電圧

分類 (3件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： 3-ヘキサデシルチオフェン ,  チエノ[3,2-b]チオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己集合 ,  流し塗り ,  ゲート絶縁体 ,  高分子 ,  有機半導体 ,  薄膜形成