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J-GLOBAL ID：201702267678626650   整理番号：17A0656697

浸透-カプセル法により合成したMgB₂バルク上の3Tクラス捕獲磁場の潜在能力

Potential ability of 3 T-class trapped field on MgB₂ bulk surface synthesized by the infiltration-capsule method

著者 (3件)： NAITO Tomoyuki (Iwate Univ., Morioka, JPN) ,  OGINO Arata (Iwate Univ., Morioka, JPN) ,  FUJISHIRO Hiroyuki (Iwate Univ., Morioka, JPN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 29  号： 11  ページ： 115003,1-6  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高圧合成と対照的に,高密度MgB₂は外部圧力無しにMgの融点(650°C)の上の浸透(拡散)工程によっても製造できる。この工程では,液体MgをBプリフォーム中に毛管現象により浸透させ,Bと反応させてMgB₂を形成する。本研究では,自家製カプセル中で浸透法により製造したMgB₂バルクの捕獲磁場(B_T)特性を調べた。未反応Mgの無い高密度のMgB₂バルクを得ることに成功した。バルクは15.9Kで2.4Tの記録的に高いB_Tを示した。20Kにおける臨界電流密度は自己磁場中で1.8×10⁵Acm^-2,μ₀H=3Tで4.5×10³Acm^-2であった。不可逆磁場は20Kにおいて4.5Tであった。

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *磁場 ,  浸透 ,  *超伝導体 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  温度依存性 ,  臨界電流密度 ,  結晶成長
準シソーラス用語： *ホウ化マグネシウム ,  二硼化マグネシウム ,  不可逆磁場 ,  *捕獲磁場

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 浸透 ,  カプセル ,  MgB2 ,  バルク ,  クラス ,  捕獲 ,  磁場 ,  潜在能力