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J-GLOBAL ID：201702268273715364   整理番号：17A0462177

プラズマ分子線エピタキシー法により成長させた,in sutu SiN_x誘電膜を有する薄いInN/GaNヘテロ構造の研究

Investigation of thin InN/GaN heterostructures with in situ SiN_x dielectric grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (9件)： Zervos Christos (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...) ,  Adikimenakis Adam (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...) ,  Beleniotis Petros (Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Greece) ,  Kostopoulos Athanasios (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece) ,  Androulidaki Maria (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece) ,  Tsagaraki Katerina (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece) ,  Kayambaki Maria (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece) ,  Konstantinidis George (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece) ,  Georgakilas Alexandros (Microelectronics Research Group (MRG), Institute of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1385, GR-70013 Heraklion, Crete, Greece and Department of Physics, University of Crete, P.O. Box 2208, GR-71003 Heraklion, Crete, Gree...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 021210-021210-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-半導体(Ni/SiN_x/InN)構造におけるInN膜厚(4/7/10nm)の効果を評価した。7nm厚のSiN_x膜が,GaN(0001)バッファ層の上に成長させたInN表面上に,プラズマ分子線エピタキシー法により,in situ成膜された。金属-絶縁体-半導体キャパシタ(MISCAP)およびInNチャンネル電界効果トランジスタ(MISFET)を作製し,素子の電気特性を調べて議論した。MISCAPの室温電流対電圧分析により低電場におけるホッピングによるオーミック伝導が示唆され,一方,高電場に対しては全ての構造で1.1~1.3eVの範囲の引出し捕獲障壁高さを伴う電界放出が中心となった。作製したMISFETの出力特性は,10nmのInN膜に対して最高の電流密度(0.8A/mm)をともなうドレイン-ソース電流の変調を示したが,チャンネルは完全にはピンチオフされなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  *MIS構造 ,  *膜厚 ,  バッファ層 ,  窒化ケイ素 ,  ニッケル ,  *MISFET ,  *コンデンサ ,  電流電圧特性 ,  ホッピング伝導 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： *プラズマMBE成長 ,  キャパシタ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  分子線エピタキシー法 ,  成長 ,  誘電膜 ,  InN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  研究