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J-GLOBAL ID：201702268457833352   整理番号：17A0362517

超高次走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所深準位過渡分光法【Powered by NICT】

Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

著者 (6件)： Chinone N. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kosugi R. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Tanaka Y. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Harada S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Okumura H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Cho Y. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 566-569  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所深準位過渡分光法イメージングのための新しい手法を提案する。この技術を用いて,種々の酸化後アニーリング条件をもつSiO_2/SiC構造試料を測定した。局所DLTS信号は酸化後アニーリング(POA),これはPOAはトラップ密度を低下させることが良く知られている現象と一致すると共に減少することを観察した。さらに,得られた局所的DLTS画像は,暗い領域と明るい領域,トラップ分布近傍SiO_2/SiC界面を示していると考えられているを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化 ,  画像 ,  焼なまし ,  界面 ,  *深準位過渡分光法 ,  炭化ケイ素 ,  画像処理
準シソーラス用語： トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 局所深準位過渡分光法 ,  超高次走査型非線形誘電率顕微鏡

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  深準位過渡分光法