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J-GLOBAL ID：201702268599196318   整理番号：17A0462171

窒素取り込みによるGe-Ga-In-O半導体の持続性光電導の低減

Reduction of persistent photoconduction in Ge-Ga-In-O semiconductors by the incorporation of nitrogen

著者 (6件)： Lee Hyun-Mo (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea) ,  Ok Kyung-Chul (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea) ,  Jeong Hyun-Jun (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea) ,  Park Jin-Seong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 133-719, South Korea) ,  Lim Junhyung (Display Research and Development Center, Samsung Display Company, Ltd., Yongin 444-711, South Korea) ,  Park Jozeph (Department of Materials Science and Engineering, KAIST, 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, South Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 021202-021202-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-Ga-In-O(GGIO)半導体における窒素取り込みの効果を,持続性光電導(PPC)と関連する負バイアス光ストレス(NBIS)下での薄膜トランジスタの安定性の視点で調査した。GGIO薄膜の反応性スパッタ成膜中の窒素分圧〔pN₂=N₂/(Ar+O₂+N₂)〕を0%から40%まで増加させたとき,PPC現象は目立たなくなり,NBIS下での素子安定性が高まることが観測された。X線光電子分光分析により,GGIO半導体中の光敏感な酸素空孔サイトの密度が窒素の取り込みの結果で減少し,そのためPPCが減少しNBIS下での素子安定性が高まると示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  固体素子 ,  *窒素 ,  取込 ,  *光伝導 ,  *安定性 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *分圧 ,  X線光電子分光法 ,  *空格子点 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： 酸素空孔

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素 ,  取り込み ,  持続性 ,  光電導