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J-GLOBAL ID：201702268601834925   整理番号：17A0375115

InGaPエピタクシーのためのオンインシュレータ仮想基板【Powered by NICT】

Germanium-on-insulator virtual substrate for InGaP epitaxy

著者 (15件)： Bao Shuyu (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Bao Shuyu (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Lee Kwang Hong (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Wang Cong (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Wang Cong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Wang Bing (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Made Riko I. (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Yoon Soon Fatt (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Yoon Soon Fatt (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Michel Jurgen (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Michel Jurgen (Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Fitzgerald Eugene (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Fitzgerald Eugene (Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Tan Chuan Seng (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #09-01/02 CREATE Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Tan Chuan Seng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 58  ページ： 15-21  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,III-V集積のためのゲルマニウムオンインシュレータ(GOI)の品質を改善するための結合過程を調べ,InGaP LEDは,このGOI基板上に成長させ,特性化した。GOIの貫通転位密度(TDD)は化学機械研磨(CMP)プロセスにより5.1±0.8×10~8cm~ 2から4.3±0.4×10~7cm~ 2に減少した。CMPed GOIの熱的及び機械的性質を特性化した。200nm熱酸化物層は結合副産物反応から発生する水素,熱気泡の形成を避け,高温エピタクシープロセス中の十分な安定性を効率的に吸収することを示した。ボンディング焼なまし後,1720.6mJ/cm~2の高い接合強度を達成した。GOI基板上に成長させたAlInGaP/InGaP多重量子井戸(MQW)LED。バルクGe基板上のLEDと比較して,GOI上のLEDはGe層とLED接合における高いTDDの存在に起因する高い漏れ電流を示した。GOI上のLEDのエレクトロルミネセンスは,バルクGe上のLEDの光出力の約50%であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 貫通転位 ,  ゲルマニウム ,  水素 ,  付着強さ ,  化学機械研磨 ,  漏れ電流 ,  気泡 ,  多重量子井戸 ,  エレクトロルミネセンス ,  高温 ,  キャラクタリゼーション ,  *エピタクシー ,  焼なまし
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： オンインシュレータ ,  仮想基板 ,  ウエハボンディング ,  III-V統合

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaP ,  エピタクシー ,  仮想