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J-GLOBAL ID：201702268789179861   整理番号：17A0462170

ULSI配線のための先進的単一前駆体によるpSiCOH k=2.4

Advanced single precursor based pSiCOH k = 2.4 for ULSI interconnects

著者 (8件)： Priyadarshini Deepika (IBM Research, Albany Nanotech, Albany, New York 12203) ,  Nguyen Son V. (IBM Research, Albany Nanotech, Albany, New York 12203) ,  Shobha Hosadurga (IBM Research, Albany Nanotech, Albany, New York 12203) ,  Liniger Eric (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598) ,  Chen James H.-C. (IBM Research, Albany Nanotech, Albany, New York 12203) ,  Huang Huai (IBM Research, Albany Nanotech, Albany, New York 12203) ,  Cohen Stephan A. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598) ,  Grill Alfred (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 021201-021201-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一の前駆体(オクタメチルシクロテトラシロキサン:OMCTS)を用いて,極めて低い誘電定数(k=2.4)を有するpSiCOH配線誘電体を開発した。細孔形成材を加えず,先進的pSiCOH誘電体は細孔径が小さく,細孔の相互連結も少ない。新しいOEx2.4誘電体は,Si-CH₂-Si架橋結合の形が大部分で炭素含有量が多く,比較的弾性率が高くプロセスで誘起される損傷への耐性の高い膜を形成する。新しいOEx2.4誘電体は,参照したk=2.55の誘電体や他のk=2.4の誘電体に比べ,素子信頼性(経時絶縁破壊)において顕著な改善が見られる。この誘電体は集積化の課題に応えるだけでなく,参照膜に比べ,総合的k値が低く維持されるので容量的にも利点がある。本稿で述べる結果は,単一前駆体OMCTSによる先進的pSiCOH,OEX2.4誘電体は,10nm以下のCu/低k配線の有力な候補であることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  前駆体 ,  誘電率 ,  *細孔径 ,  信頼度 ,  *絶縁破壊 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電体 ,  *絶縁膜
準シソーラス用語： *ULSI ,  *経時的絶縁破壊 ,  低k誘電体 ,  半導体素子信頼性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： オクタメチルシクロテトラシロキサン

タイトルに関連する用語 (2件)： ULSI ,  前駆体