文献

J-GLOBAL ID：201702269307650920   整理番号：17A0470086

3D ICパッケージングのためのTSV熱挙動に与える寸法パラメータと欠陥の影響【Powered by NICT】

Effects of dimension parameters and defect on TSV thermal behavior for 3D IC packaging

著者 (5件)： Pan Yuanxing (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Li Fei (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  He Hu (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Li Junhui (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Zhu Wenhui (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 70  ページ： 97-102  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貫通シリコンビア(TSV)技術による3D IC集積のための信頼性のある相互接続を実現するための有望なと好ましい方法である。温度,TSV構造で使用される材料の熱膨張係数(CTE)のミスマッチのために,顕著な熱応力を用いたTSV製造とチップの過程における変化が熱負荷下で誘導されるであろう。これらの応力は種々の信頼性問題をもたらす可能性がある。次元パラメータと欠陥は,TSVの熱挙動に影響する二因子である。TSV設計とバイア充填の品質を最適化するために,Cu充填TSVの数値モデルを本論文でTSVの熱応力と変形に及ぼす直径,アスペクト比(AR)と欠陥の影響をシミュレートし,分析するために確立した。シミュレーション結果は,TSVの等価応力と全変形はTSVの直径の増加とともに増加することを示した。相当応力に及ぼすアスペクト比の影響は非常に少ないが,全変形,特にTSVの大口径のに大きな影響を及ぼす。,形状,熱応力に及ぼす欠陥のサイズと位置の影響も調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アスペクト比 ,  不整合 ,  最適化 ,  信頼性 ,  熱応力 ,  銅 ,  相互接続 ,  相当応力 ,  熱負荷 ,  *三次元 ,  熱膨張係数 ,  大口径
準シソーラス用語： 数値モデル ,  *熱挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン貫通電極 ,  次元パラメータ ,  欠陥 ,  熱的挙動

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3D ,  IC ,  パッケージング ,  TSV ,  熱挙動 ,  パラメータ ,  欠陥