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J-GLOBAL ID：201702278857009789   整理番号：17A0291833

グラフェン電子-正孔二重層における螺旋エッジ状態と分数量子Hall効果

Helical edge states and fractional quantum Hall effect in a graphene electron-hole bilayer

著者 (8件)： SANCHEZ-YAMAGISHI Javier D. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  LUO Jason Y. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  YOUNG Andrea F. (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  HUNT Benjamin M. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  WATANABE Kenji (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  ASHOORI Raymond C. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  JARILLO-HERRERO Pablo (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 12  号： 2  ページ： 118-122  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,中程度磁場でのグラフェン電子-正孔二重層中の反対カイラル性の量子Hall(QH)エッジ状態を組み合わせることにより形成した10個のシステムを実現する多目的プラットフォームについて報告した。相対的ねじれ不整合で積み重ねられた2つの単層グラフェンフレークから,研究したデバイスを構成し,デバイスにおける層間結合の程度を確立するために,QH効果を測定した。逆伝搬モードが調整可能な電場により個別の電子および正孔層に局在する10個の螺旋エッジ導体を設計した。設計した螺旋導体は,強い非局所輸送信号を示し,逆伝播モードの反対スピン分極による後方散乱を抑制した。グラフェン電子-正孔二重層を用いて,分数エッジ状態を組み込んだ新しい10個のシステムを構築した。その結果,著者等は,反対カイラル性分数および整数エッジ状態をホストする領域に二重層デバイスを調整でき,分数量子統計を用いて10個の螺旋導体に向かう道を開いた。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子正孔対 ,  多層膜 ,  *二重構造 ,  *ヘリックス構造 ,  *分数量子Hall効果 ,  性質 ,  格子不整合 ,  結合 ,  スピン分極 ,  後方散乱 ,  電子状態
準シソーラス用語： 二重層 ,  *二重層構造 ,  *螺旋構造 ,  *エッジ状態 ,  カイラル性 ,  層間結合 ,  Dirac円錐

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  電子 ,  正孔 ,  重層 ,  螺旋 ,  エッジ状態 ,  分数量子Hall効果