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J-GLOBAL ID：201702280068764453   整理番号：17A0776759

0.5μm複合コレクタInP DHBTに基づく140GHzパワーアンプ

140 GHz power amplifier based on 0.5 μm composite collector InP DHBT

著者 (9件)： Li Oupeng (Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Yong (Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Tiedi (Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Wang Lei (Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Xu Ruimin (Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Sun Yan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Cheng Wei (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wang Yuan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Niu Bin (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 8  ページ： 20170191(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.5μm複合コレクタInPダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)プロセスに基づくDバンド応用の高利得で中パワーのアンプを紹介した。パワーアンプには,T接合パワーコンバイナと組み合わせた4つの方法があった。そして,それぞれの方法は4段階のHBTを持ち,高いゲイン性能を提供した。測定結果は75GHzで23.6dBのピーク利得を実証し,140GHzでは21.89dBの利得であった。飽和出力電力は140GHzで13.7dBm,DC消費電力は250mWであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *HBT【トランジスタ】 ,  *電力増幅器 ,  マイクロ波 ,  スペクトルバンド ,  利得 ,  電力 ,  性能
準シソーラス用語： *InP ,  *DHBT ,  *マイクロ波パワーアンプ ,  ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ

著者キーワード (4件)： InP DHBT ,  composite collector ,  power amplifier ,  millimeter-wave

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• [1] B. Chenget al.: “Real-time imaging with a 140 GHz inverse synthetic aperture radar,” IEEE Trans. THz Sci. Technol. 3 (2013) 594 (DOI: 10.1109/TTHZ.2013.2268317).
• [2] A. Hirataet al.: “10-Gbit/s wireless link using InP HEMT MMICs for generating 120-GHz-band millimeter-wave signal,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 57 (2009) 1102 (DOI: 10.1109/TMTT.2009.2017256).
• [3] T. Kosugiet al.: “A 125-GHz 140-mW InGaAs/InP composite-channel HEMT MMIC power amplifier module,” IEICE Electron. Express 6 (2009) 1764 (DOI: 10.1587/elex.6.1764).
• [4] L. Samoska and Y. C. Leong: “65-145 GHz InP MMIC HEMT medium power amplifiers,” IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. (2001) 1805 (DOI: 10.1109/MWSYM.2001.967257).
• [5] H. C. Lin and G. M. Rebeiz: “A 110-134-GHz SiGe amplifier with peak output power of 100-120 mW,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 62 (2014) 2990 (DOI: 10.1109/TMTT.2014.2360679).

タイトルに関連する用語 (4件)： コレクタ ,  InP ,  DHBT ,  パワーアンプ