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J-GLOBAL ID:201702281036420061   整理番号:17A0750123

電子と陽子を照射した逆転した変成三重接合太陽電池における成分サブセルの放射線分解特性【Powered by NICT】

Radiation degradation characteristics of component subcells in inverted metamorphic triple-junction solar cells irradiated with electrons and protons
著者 (5件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 161-174  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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材料も逆転した変成三重接合(IMM3J)太陽電池のサブセルとして使用されている,In_0 5Ga_0-2.5P,GaAs,In_0 2Ga_0 8As,In_0 3Ga_0 7として単一接合太陽電池の放射線応答を調べた。全ての四種類の細胞は簡単なデバイスレイアウトを用いて調製し,高エネルギー電子と陽子を照射した。本態性太陽電池特性,すなわち,光照射電流-電圧(LIV),暗電流-電圧(DIV),外部量子効率(EQE),及び二次元光ルミネセンス(2D PL)イメージングを照射前後で得られ,照射による対応する変化を比較分析した。電子と陽子によるセル出力パラメータの劣化は,変位損傷線量の関数としてプロットした。二InGaAs細胞の耐放射線性材料からみたInGaPとGaAs電池の,異なる初期材料品質の結果であるとほぼ同等のことが分かった。しかし,InGaAs細胞は特に短絡電流(Isc)のための電子に比較的低い耐放射線性を示した。IscとEQE,データの分解を比較することによって,InGaPとGaAsと比較して,InGaAs中の少数キャリア拡散長の大きな減少はIMM3J構造におけるInGaAs底サブ電池の光発生電流を著しく劣化させることを確認した。さらに,InGaP及び二個のInGaAs細胞はVocの等価放射線抵抗性を示すことが分かったが,Vocの放射線応答機構が異なると考えられている。さらには細胞の放射線応答を解釈するために必要である解析的研究。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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