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J-GLOBAL ID：201702281381127860   整理番号：17A0362527

850nm GaAsベースVCSELのESD試験【Powered by NICT】

ESD tests on 850nm GaAs-based VCSELs

著者 (4件)： Vanzi M. (University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy) ,  Mura G. (University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy) ,  Marcello G. (University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy) ,  Xiao K. (Huawei Technology Co., Ltd, Longgang District Sakata Huawei E1-3D, 13560727253, Shenzhen, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 617-622  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 順方向と逆方向のHBM,MM,CDM ESD試験は850nmVCSELで実施したEOSと過出力試験した。試験した装置の物理的解析は,測定した電気光学劣化に相関しにくい損傷の多様性を示した。溶液は観察された物理的機構の詳細な解釈を必要とし,電子顕微鏡とデバイスのモデル化。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子顕微鏡 ,  モデリング ,  *ヒ化ガリウム ,  *垂直共振器形面発光レーザ

著者キーワード (3件)： VCSEL ,  ESD ,  故障解析

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  VCSEL ,  ESD ,  試験