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J-GLOBAL ID:201702281917462938   整理番号:17A0549330

NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究

著者 (14件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.15p-F204-17  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (3件):
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