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J-GLOBAL ID：201702282295194389   整理番号：17A0635399

実用的な金属テープ基板上に成長したBaFe₂(As_1-xP_x)₂ (x=0.22-0.42)薄膜とその臨界電流密度

BaFe₂(As_1-xP_x)₂ (x = 0.22-0.42) thin films grown on practical metal-tape substrates and their critical current densities

著者 (4件)： HIRAMATSU Hidenori (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SATO Hikaru (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 4  ページ： 044003,1-6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe系超伝導体は,高磁場磁石や電力ケーブルなどの応用に適した性質(高い上部臨界磁場,低い異方性因子,高いT_c,高い臨界ミスオリエンテーション角度など)をもっている。本研究では,実用的な金属テープ基板上にパルスレーザ堆積法にてBaFe₂(As_1-xP_x)₂薄膜を成膜し,最適な基板温度(T_s=1050°C)およびリン濃度(x=0.28)を求めた。最適な薄膜では,T_c^onset=26.6K,T_c^zero=22.4Kで,4Kでの高い自己磁場J_c(~1MAcm^-2)と,比較的等方的なJ_c(磁場≦9T)とを有することが示された。予想外に,最適なT_s=1050°Cより高い1250°Cで成長させた結晶性の低い試料が,高磁場の下で最適試料より高いab面に沿ったJ_cを示した。強い渦糸ピン止め中心として働く水平の欠陥(積層欠陥など)の存在は,低い結晶性で高いJ_cの値が得られる原因と考えられる。

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  *臨界電流密度 ,  *鉄化合物 ,  *ヒ化物 ,  リン化物 ,  *バリウム化合物 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  基板 ,  金属 ,  テープ ,  *基板温度 ,  濃度依存性 ,  *磁束ピン止め ,  *最適化

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： テープ ,  成長 ,  薄膜 ,  臨界電流密度