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J-GLOBAL ID：201702285928249216   整理番号：17A0443373

交差指形Ptフィンガー電極を用いた低周波雑音とGe 金属-semiconductor-金属光検出器の光電子的性質に及ぼす指寸法の影響【Powered by NICT】

Effects of finger dimension on low-frequency noise and optoelectronic properties of Ge metal-semiconductor-metal photodetectors with interdigitated Pt finger electrodes

著者 (7件)： Zumuukhorol Munkhsaikhan (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.) ,  Khurelbaatar Zagarzusem (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.) ,  Khurelbaatar Zagarzusem (School of Information and Communication Technology, Mongolian University of Science and Technology, Ulaanbaatar 51-29, Mongolia.) ,  Yuk Shim-Hoon (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.) ,  Won Jonghan (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, Republic of Korea) ,  Lee Sung-Nam (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung 429-793, Republic of Korea) ,  Choi Chel-Jong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea.)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 69  ページ： 60-65  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge 金属-semiconductor-金属(MSM)赤外光検出器(PD)の低周波雑音と光電気特性上の櫛型Ptフィンガー状電極寸法の影響を調べた。この暗電流の低下によって,暗電流比(NPDR)で規格化した光電流の増加をもたらした。指幅/間隔の減少は接触電極近傍の密集電場の発生を促進した。これは鏡像力Schottky障壁低下,暗電流の増加に関与している可能性をもたらした。10Hz 1kHzの範囲の周波数で行った低周波雑音測定から,Ge MSM PDはγは1.07 1.20の範囲で1/f~γ周波数依存性を有し,指寸法に関係なく。電流集中,特に指電極の近傍で,小さな指幅/間隔,低周波数雑音の増加の主な原因であることを有するGe MSM PDでより顕著であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  櫛形 ,  電場 ,  *光検出器 ,  周波数依存性 ,  暗電流 ,  電流 ,  鏡像力 ,  *光電子 ,  標準化 ,  Schottky障壁 ,  *ゲルマニウム ,  光電流 ,  *低周波雑音
準シソーラス用語： 光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ge MSM光検出器 ,  暗電流 ,  NPDR ,  1/f雑音 ,  電場は密集 ,  電流の集中

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 交差 ,  指 ,  Pt ,  低周波雑音 ,  Ge ,  光検出器 ,  光電子 ,  性質