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J-GLOBAL ID：201702285945362310   整理番号：17A0362449

65nmフリップフロップの応答のアップセット(SEU)シングルイベントに及ぼす電圧ストレスの影響【Powered by NICT】

Effects of voltage stress on the single event upset (SEU) response of 65nm flip flop

著者 (7件)： Chua C.T. (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore) ,  Ong H.G. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore 637553, Singapore) ,  Sanchez K. (CNES, French Space Agency, 18 Avenue Edouard Belin, Toulouse 31401, France) ,  Perdu P. (CNES, French Space Agency, 18 Avenue Edouard Belin, Toulouse 31401, France) ,  Perdu P. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore 637553, Singapore) ,  Gan C.L. (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore) ,  Gan C.L. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore 637553, Singapore)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 199-203  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 65nmバルクCMOS技術で製造されたフリップフロップ鎖のシングルイベントアップセット(SEU)に及ぼす電圧ストレスの影響を調べるために利用されてきた新たに統合したパルスレーザシステム。フリップフロップ鎖のレーザマッピングは,SEU感応領域はレーザエネルギーと共に増加することを明らかにした。レーザマッピングからのデータの後処理は,断面積対レーザエネルギー曲線のプロットを容易にした。は130時間の電圧ストレス後の断面曲線の明確なシフトを見出した。データの比較は,電圧ストレス後に敏感な地域における少なくとも2倍増加を明らかにした。電圧ストレス中,種々の電気的パラメータをモニターした変化が観察された。SEU感受性の増加は電気パラメータ変化とSPICEシミュレーション結果同様に一致に関係することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 断面積 ,  パルスレーザ ,  感受性 ,  SEU【シングルイベント】 ,  シミュレーション ,  *双安定回路 ,  後処理
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  *電圧ストレス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： 電圧ストレス ,  単一イベントアップセット ,  フリップフロップ ,  65nm ,  パルスレーザ ,  放射線効果 ,  信頼性 ,  加齢 ,  断面積曲線 ,  SEUマッピング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： フリップフロップ ,  応答 ,  アップセット ,  SEU ,  イベント ,  電圧ストレス