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J-GLOBAL ID：201702287514811068   整理番号：17A0362551

SiGeH BT中のパルスレーザ誘起シングルイベント過渡現象のバイアス依存性の実験的研究【Powered by NICT】

Experimental study of bias dependence of pulsed laser-induced single-event transient in SiGe HBT

著者 (7件)： Sun Yabin (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241) ,  Fu Jun (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Yudong (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhou Wei (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Liu Zhihong (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Xiaojin (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241) ,  Shi Yanling (Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, Department of Electrical Engineering, East China Normal University, Shanghai, 200241)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 65  ページ： 41-46  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々のバイアス条件でのパルスレーザ照射により誘起されたSiGeH BTのシングルイベントトランジェント(SET)の包括的研究を提示した。SETに関するコレクタ電圧Vとベース電圧Vの影響を比較検討した。実験結果は,SiGeH BTにおけるSETは照射中に印加したバイアス条件に強く依存することを示した。基礎となる物理的機構を詳細に解析した。コレクタ過渡電流の変化はほぼ理想的な指数関数的放電則を満たすことが分かった。トランジスタは逆能動モードに1回追加放電路は集熱器電荷収集と放電時定数に重要な役割を果たしている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアス ,  放電路 ,  パルスレーザ照射 ,  指数関数 ,  電圧 ,  *パルス ,  放電 ,  時定数
準シソーラス用語： 電荷収集 ,  過渡電流 ,  比較研究 ,  *実験研究 ,  *バイアス依存性 ,  *SET【シングルイベント】 ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiGeH BT ,  シングルイベント過渡現象 ,  バイアス依存性 ,  パルスレーザ照射

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： BT ,  パルス ,  レーザ誘起 ,  シングルイベント過渡現象 ,  バイアス依存性 ,  実験的研究