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J-GLOBAL ID：201702287824783164   整理番号：17A0444958

より良い欠陥性能と促進ポストCMPクリーニングを用いた障壁スラリーの研究【Powered by NICT】

Investigation of the barrier slurry with better defect performance and facilitating post-CMP cleaning

著者 (9件)： Luan Xiaodong (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Luan Xiaodong (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and the Devices, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Liu Yuling (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Liu Yuling (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and the Devices, School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Zhang Baoguo (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Wang Shengli (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Niu Xinhuan (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Wang Chenwei (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Wang Juan (Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 170  ページ： 21-28  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 障壁CMP中欠陥のない大域的平坦化を達成するための歩留り向上のための非常に重要となる。従来の市販障壁化学機械研磨(CMP)スラリーは,通常,CMP後洗浄のための銅表面上の有機欠陥と酸化物粒子の原因となるベンゾトリアゾール(BTA)と酸化剤(最も頻繁にH_2O_2)を含んでいる。本論文では,従来のものより低い欠陥発生を有する一種の弱アルカリ障壁スラリーのを示し,スラリーの重要な特徴は,CMP後洗浄を容易にした。欠陥マップから得られた実験結果は,何も含まない簡単なクリーニング溶液のための困難であるが,商業的障壁スラリーで研磨したウエハ表面上の酸化物粒子と有機残留物を完全に除去するために脱イオン水と界面活性剤を示した。一方,弱アルカリ障壁スラリーで研磨したウエハの欠陥マップは,この簡単な洗浄溶液で洗浄後の表面汚染がないことを示しているが,まだ多くの欠陥。A FM(原子間力顕微鏡)グラフは,これらの欠陥が引かきであり,このツールは欠陥としてそれらを実証した。研磨結果は,スクラッチのための根本原因はスラリー中の0.5μmを超える大きな粒子は,マイクロスクラッチは,CMP性能,ディッシング,抵抗,静電容量および漏れ電流などに影響することなく,0.2μmサイズフィルタの設置後著しく減少したことを示した。従来の市販障壁CMPスラリーと比較して,アルカリ障壁スラリーはガルバニック反応に起因する銅線腐食を制御することもできた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スラリー ,  原子間力顕微鏡 ,  脱イオン水 ,  研磨 ,  静電容量 ,  *清掃 ,  粒度 ,  化学機械研磨 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 銅線 ,  ディッシング ,  スクラッチ ,  表面汚染 ,  平坦化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 化学機械的平坦化 ,  バリアスラリー ,  粒子サイズ ,  欠陥フリー ,  引かき ,  ガルバニック腐食

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 欠陥 ,  促進 ,  CMP ,  クリーニング ,  障壁 ,  スラリー ,  研究