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J-GLOBAL ID：201702288758813756   整理番号：17A0362442

ホットキャリア損傷を受けた28nm FDSOI CMOSノードにおける治癒技術の可能性【Powered by NICT】

Potentiality of healing techniques in hot-carrier damaged 28nm FDSOI CMOS nodes

著者 (8件)： Bravaix A. (ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France) ,  Cacho F. (STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Federspiel X. (STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Ndiaye C. (ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France) ,  Ndiaye C. (STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Mhira S. (ISEN, REER-IM2NP, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France) ,  Mhira S. (STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Huard V. (STMicroelectronics, REER, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 163-167  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28nm FDSOI CMOSノードにおける前方(FBB)モードにおける逆バイアスV_Bセンシング効果を利用した酸化物電荷中性化とチャネル短縮(2)の複合効果による論理セル(1)素子からのホットキャリア(HC)劣化したトランジスタの治癒相を使用することの可能性を開発した。これはコアブロック(EOT=1.35nm)ディジタル応用のためのHC損傷デバイスのほぼ完全な治癒をもたらす入出力装置(EOT=3.6nm)からのAC操作にDCに対して行われた。治癒相の連続または短配列はディジタル動作硬化と同様にいくつかの類似体で繰り返し時間に新しい展望を提供するHC劣化パラメータ(I_On,V_T)を再生するのに役立つ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 入出力装置 ,  電荷 ,  *治癒 ,  類似物質 ,  中性化 ,  トランジスタ ,  チャネル ,  *ホットキャリア ,  ディジタル方式 ,  酸化物 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ホットキャリア ,  癒しの技術 ,  電荷中性化 ,  FDSOI ,  前方逆バイアス補償

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ホットキャリア ,  損傷 ,  FDSOI ,  CMOS ,  ノード ,  治癒 ,  可能性