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J-GLOBAL ID：201702291878632247   整理番号：17A0086770

投影型電子顕微鏡システムを用いた11nmハーフピッチ形成のための極端紫外線リソグラフィのパターンマスク検査の最近の結果

Recent results from extreme ultraviolet lithography patterned mask inspection for 11nm half-pitch generation using projection electron microscope system

著者 (8件)： HIRANO Ryoichi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  IIDA Susumu (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  AMANO Tsuyoshi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Hidehiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  HATAKEYAMA Masahiro (Ebara Corp., Fujisawa, JPN) ,  MURAKAMI Takeshi (Ebara Corp., Fujisawa, JPN) ,  SUEMATSU Kenichi (Ebara Corp., Fujisawa, JPN) ,  TERAO Kenji (Ebara Corp., Fujisawa, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9984  ページ： 99840M.1-99840M.6  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)法は,超微細のハーフピッチの形成において有望な技術である。EUVL法では,EUVLマスクの検査が必要となる。11nmのフィーチャサイズのデバイスを製造するために,EUVL法におけるパターンマスク検査法について検討した。マスク検査に利用する投影型電子顕微鏡システムを開発した。投影電子顕微鏡の光学系を設計し,新しいマスク検査システムに統合した。投影光学系を介して,時間遅延積分イメージセンサ上に画像を集束させ,マスクで生成された画像を分析して,システムの欠陥検査感度を評価した。イメージセンサを改良し,同期偏向法とマスク走査法を組み合わせて,高いスループットと高い欠陥検出感度を実現した。EUVパターニングのマスク検査の実験結果を示した。EUVLマスクで必要とされる欠陥検出能力を有していることが分かった。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *極端紫外線 ,  *パターン形成 ,  *フォトマスク ,  加工欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  生産技術 ,  半導体素子 ,  微細加工 ,  半導体集積回路 ,  長さ
準シソーラス用語： ハーフピッチ ,  フィーチャサイズ ,  フォトマスク欠陥 ,  マスク検査 ,  *極端紫外線リソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 投影 ,  電子顕微鏡 ,  ハーフピッチ ,  極端紫外線リソグラフィ ,  マスク検査