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J-GLOBAL ID：200902235322745930   整理番号：09A0420923

プラズマ窒化SiC表面の熱酸化により形成したSiO₂/SiC界面の放射光XPS評価

著者 (8件)： 景井悠介 (大阪大 大学院) ,  小園幸平 (大阪大 大学院) ,  朽木克博 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原研) ,  寺岡有殿 (原研) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 438  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  窒化 ,  *熱酸化 ,  MOS構造 ,  *界面 ,  X線光電子スペクトル ,  化合物半導体 ,  *固固界面 ,  改変
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  酸化反応

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ窒化 ,  SiC ,  熱酸化 ,  SiO2 ,  界面 ,  放射光 ,  XPS ,  評価