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J-GLOBAL ID：200902237837061476   整理番号：09A0995213

4H-SiC(0001)面の熱酸化により形成したSiO₂/SiC界面の放射光XPS評価

著者 (12件)： 桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  岡本学 (大阪大 大学院) ,  HARRIES James (日本原子力研究開発機構) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構) ,  寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 385  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  基板 ,  *熱酸化 ,  *二酸化ケイ素 ,  *界面 ,  シンクロトロン放射 ,  *X線光電子スペクトル ,  伝導バンド ,  バンドオフセット ,  スペクトル解析 ,  信頼性 ,  化学結合 ,  MOSFET
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 4H-SiC ,  熱酸化 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  放射光 ,  XPS ,  評価