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J-GLOBAL ID：200902247832906520   整理番号：06A0266090

Si(001)基板上にパターン加工されたGeおよびSiGe層の歪緩和評価と制御

著者 (10件)： 望月省吾 (名古屋大 大学院) ,  湯川勝規 (名古屋大 大学院) ,  中塚理 (名古屋大 エコトピア研) ,  近藤博基 (名古屋大 大学院) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  泉妻宏治 (東芝セラミックス) ,  仙田剛士 (東芝セラミックス) ,  豊田英二 (東芝セラミックス) ,  小川正毅 (名古屋大 先端研) ,  財満鎮明 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 406  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *歪緩和

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  SiGe ,  歪緩和 ,  評価