半導体レーザ装置およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体レーザジャイロ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144643
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317804
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】好ましい誘電体多層膜を端面に備える半導体レーザ装置を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、基板11上に、活性層を含む半導体多層膜20を形成する工程(i)と、半導体多層膜20をエッチングすることによって、外側に向かって凸の曲面を有するように第1および第2の端面を露出させる工程(ii)と、気相成長法によって第2の端面24bに反射膜15(誘電体多層膜)を堆積させる工程(iii)とを含む。工程(iii)は、半導体多層膜20の上面側を第1の板71で押さえ、基板11の裏面側を第2の板72で押さえた状態であって、且つ第2の端面24bが第1の板71よりも距離H(20μm以上)突出した状態で行われる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1および第2の端面を備え、前記第1の端面からレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、 (i)基板上に、活性層を含む半導体多層膜を形成する工程と、 (ii)前記半導体多層膜をエッチングすることによって、外側に向かって凸の曲面を有するように前記第1および第2の端面を露出させる工程と、 (iii)気相成長法によって前記第2の端面に誘電体膜(A)を堆積させる工程とを含み、前記(iii)の工程は、前記半導体多層膜の上面側を第1の板で押さえ、前記基板の裏面側を第2の板で押さえた状態であって、且つ前記第2の端面が前記第1の板よりも20μm以上突出した状態で行われる半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22 610

Fターム (15件)：

5F173AA32 , 5F173AB49 , 5F173AH02 , 5F173AH14 , 5F173AL03 , 5F173AL05 , 5F173AL13 , 5F173AP33 , 5F173AR92 , 5F173MA10 , 5F173MB03 , 5F173MC30 , 5F173ME22 , 5F173MF02 , 5F173MF28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-020755 出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

審査官引用 (12件)

半導体レーザジャイロ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-059402 出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所, 岡山県
特開昭63-237489
特開平1-248682

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