特許
J-GLOBAL ID：200903057523439739
半導体レーザ装置およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体レーザジャイロ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144643
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317804
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】好ましい誘電体多層膜を端面に備える半導体レーザ装置を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、基板11上に、活性層を含む半導体多層膜20を形成する工程(i)と、半導体多層膜20をエッチングすることによって、外側に向かって凸の曲面を有するように第1および第2の端面を露出させる工程(ii)と、気相成長法によって第2の端面24bに反射膜15(誘電体多層膜)を堆積させる工程(iii)とを含む。 工程(iii)は、半導体多層膜20の上面側を第1の板71で押さえ、基板11の裏面側を第2の板72で押さえた状態であって、且つ第2の端面24bが第1の板71よりも距離H(20μm以上)突出した状態で行われる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
互いに対向する第1および第2の端面を備え、前記第1の端面からレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、
(i)基板上に、活性層を含む半導体多層膜を形成する工程と、
(ii)前記半導体多層膜をエッチングすることによって、外側に向かって凸の曲面を有するように前記第1および第2の端面を露出させる工程と、
(iii)気相成長法によって前記第2の端面に誘電体膜(A)を堆積させる工程とを含み、
前記(iii)の工程は、前記半導体多層膜の上面側を第1の板で押さえ、前記基板の裏面側を第2の板で押さえた状態であって、且つ前記第2の端面が前記第1の板よりも20μm以上突出した状態で行われる半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F173AA32
, 5F173AB49
, 5F173AH02
, 5F173AH14
, 5F173AL03
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AP33
, 5F173AR92
, 5F173MA10
, 5F173MB03
, 5F173MC30
, 5F173ME22
, 5F173MF02
, 5F173MF28
出願人引用 (1件)
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-020755
出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
審査官引用 (9件)
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半導体レーザジャイロ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-059402
出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所, 岡山県
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特開昭63-237489
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特開平1-248682
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