特許

J-GLOBAL ID：200903082239116169

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 牧田 幸治 ,  今藤 修 ,  河田 敏也 ,  足立 秀人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341049
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142774
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 窓領域の半導体層の抵抗率を増加させて、窓領域内部に注入される無効電流を抑制し、素子の特性、信頼性を向上させる。【解決手段】 第一導電型半導体基板101上に形成された、第一導電型クラッド層102、活性層103、第二導電型クラッド層104、第一導電型電流ブロック層、第二導電型埋込層、および第二導電型コンタクト層を含む積層構造を備え、積層構造の光出射端面に不純物ドープにより窓領域110が形成されるとともに、第二導電型コンタクト層が窓領域の直上の領域を除いて配置されたキャリア非注入構造を有する。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板上に形成された、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層、第一導電型電流ブロック層、第二導電型埋込層、および第二導電型コンタクト層を含む積層構造を備え、前記積層構造の光出射端面に不純物ドープにより窓領域が形成されるとともに、前記第二導電型コンタクト層が前記窓領域の直上の領域を除いて配置されたキャリア非注入構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (5件)：

H01S 5/16 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266

FI (5件)：

H01S 5/16 ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 M

Fターム (31件)：

4K029AA04 ,  4K029CA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073AA08 ,  5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA53 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA23 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体素子の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350312   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002524   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-203089   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178398   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-080242   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-097417   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-244737   出願人：松下電子工業株式会社