特許
J-GLOBAL ID：200903039142207566

半導体レーザ

発明者：
上田 哲生

上田 哲生 について

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山根 啓嗣

山根 啓嗣 について

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藤森 省司

藤森 省司 について

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木戸口 勲

木戸口 勲 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-205925
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333157
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】端面コーティング膜中に水素添加膜を有している場合に、半導体レーザが高温状態に晒されても、端面コーティング膜剥離や端面コーティング膜の変質を防止することが可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板上に形成された活性層と、活性層を挟む一対のクラッド層とを備える。その共振器端面102、104の少なくとも一方に、水素が添加された第一誘電体膜109を備え、第一誘電体膜と共振器端面との間に、水素の拡散を防止し、端面反射率に影響を与えない程度の厚さの第二誘電体膜108を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成された活性層と、前記活性層を挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザであって、その共振器端面の少なくとも一方に、水素が添加された第一誘電体膜を備え、前記第一誘電体膜と前記共振器端面との間に、水素の拡散を防止し、端面反射率に影響を与えない程度の厚さの第二誘電体膜を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S5/028
FI (1件)：
H01S5/028
Fターム (16件)：
5F173AH06 ,  5F173AL04 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL16 ,  5F173AL19 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AR68 ,  5F173AR92 ,  5F173AR96 ,  5F173AR99 ,  5F173MC05 ,  5F173MD84 ,  5F173MD90
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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