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J-GLOBAL ID:201002227080970029   整理番号:10A0465667

放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価

著者 (12件):
資料名:
巻: 57th  ページ: ROMBUNNO.18A-TJ-2  発行年: 2010年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造 

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